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IXFH 22N60P IXFV22N60P
IXFV 22N60PS
30
27
Fig. 7. Input Adm ittance
30
27
Fig. 8. Trans conductance
24
21
18
15
12
24
21
18
15
12
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
9
6
3
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
9
6
3
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
70
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 11A
I G = 10m A
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
1.1
0
10
20 30 40
Q G - nanoCoulombs
50
60
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C iss
100
Fig. 12. For w ard-Bias
Safe Ope rating Are a
R DS(on) Lim it
25μs
100
C oss
C rs s
10
T J = 150oC
DC
1m s
10m s
100μs
T C = 25oC
10
1
0
5
10
15 20 25
V D S - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
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